认识一下二极管特性
首先说明一下二极管的特性
二极管的特性：正向导通，反向截止。
问题一：正向导通有没有最大电压限制？换一句话说，能不能把一个二极管串联在一个5v的电源上，10v的电源上，20v的电源上呢？
就是类似于下图：
二极管电路图@异萌YM
答案是不可以。其实这个和二极管的伏安特性曲线有关系：
二极管伏安特性曲线@异萌YM
我手画了一个二极管的伏安特性曲线大致如上图，正向导通的意思是：在一个很小的正向电压时候二极管就可以有电流通过，并且在电压不是很大的时候电流就可以很大，“但是电压再增大一点，电流就会增大的很快”，注意这句话，就是说二极管正向电压降是有限制的，单纯的把它串联在一个它不可承受的电压下，通过他的电流就会很大，二极管就会被烧坏，也就是断路了。
第二个问题是：二极管的参数
二极管参数@异萌YM
这个图片是在tb上截图，1N4007是二极管的规格型号，1A/1200V的意思是正向允许通过电流是1A,反向截止电压1200V.正向电流超过1A就容易被烧坏，反向电压超过1200v就会被击穿。
拓展：二极管绝对不能忽视的特性！
虽然二极管是一个简单器件，但它却有许多值得考虑的特性。这些特性通常取决于应用，其中一些应用包括：整流器、信号线或、晶体管关闭、续流（电感器和电机）等，当然还有专用功能如 LED 和基准电压。
二极管正如其三角形符号所表示的，只能在一个方向上传输电流，在相反方向则会阻止电流及电压。该理论是基于半导体结和掺杂区域的取向。其中最基本的是PN结二极管。
二极管偏置，将通过一个较低的正向压降“自动”传输电流——PN结二极管的典型压降值为0.7V，肖特基二极管的典型值为0.3V。工作是在第一象限，其中电压和电流均为正，而第四象限是阻断电压及所产生的漏电流。大多数功耗都是根据这两个工作点计算的。然而，二极管的快速开关也会引起功耗，其表现形式为在开关期间出现的电压和电流。
反向恢复也会引起功耗，这与SiC等新型半导体材料的技术发展有关。有许多不同类型的半导体材料用于二极管，包括GaN和GaAs。它们针对不同的需求而有相应的优势，比如更快的恢复时间、更高的阻断电压，以及更大的电流容量等。
因为这些半导体是基于能隙原理工作，所以二极管产生的热量会改变其特性。功耗会产生热量，因此功耗Ptotal = Pconduction + Pblocking + Pturnoff + Pturnon。幸运的是，在关断时间内，关断损耗是均衡的。否则，由于产生的电压和电流量，功耗可能变得非常明显。
关于二极管的最后一个想法是，它们不是万能的。二极管具有能量脉冲额定值，在周期性应用中会单次甚至重复吸收能量。了解这些限制以及对器件性能的影响可以避免许多令人头疼的问题。为保险起见，最好是将二极管并联或串联使用，以便略微分散应力。与同类器件不同，其分配一般很好。
拓展：二极管的伏安特性说明
半导体二极管的是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。
若以电压为横坐标，电流为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来，就构成二极管的伏安特性曲线，如下图所示（图中虚线为锗管的伏安特性，实线为硅管的伏安特性）。
下面对二极管伏安特性曲线加以说明：
1、正向特性
二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压（也称阈值电压），硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，如图中OA（OA′）段。
当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V，如图中AB（A′B′）段。
二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过值，否则将烧坏PN结。
2、反向特性
二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR，见图中OC（OC′）段。
3、反向击穿特性
二极管反向电压加到一定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，用UBR表示，如图1.11中CD（C′D′）段。
4、温度对特性的影响
由于二极管的是一个PN结，它的导电性能与温度有关，温度升高时二极管正向特性曲线向左移动，正向压降减小;反向特性曲线向下移动，反向电流增大。
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